bank bjb
  

Samsung akan Luncurkan Memori Ponsel 1 Terabyte Generasi Baru

  Selasa, 05 Maret 2019   Fira Nursyabani
Samsung akan Luncurkan Memori Ponsel 1 Terabyte Generasi Baru
Chip memori Samsung e-UFS 3.0 berkapasitas 512GB. (Antara News/Samsung)

CIREBON, AYOCIREBON.COM -- Samsung Electronics telah menyiapkan chip penyimpanan internal generasi baru yang berkapasitas mulai dari 256 gigabyte (GB) hingga 1 terabyte (TB), kapasitas terbesar yang bakal diluncurkan semester kedua tahun ini. Sementara untuk yang berkapasitas 256GB dan 512GB dari memori generasi baru berteknologi embedded Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 ini, sudah tersedia mulai akhir Februari lalu.

Memori penyimpanan generasi baru tersebut mampu menyajikan kecepatan dua kali dibanding eUFS 2.1 yang ada saat ini, kata Samsung dalam pernyataan resminya, Senin (4/2/2019). Chip generasi baru ini mendukung pengalaman pengguna yang lebih mudah pada smartphone generasi mendatang yang memiliki layar dengan resolusi ultra tinggi.

“Dimulainya produksi massal dari jajaran eUFS 3.0 kami memberi kami keuntungan besar di pasar ponsel generasi mendatang yang mana kami membawa kecepatan baca memori yang sebelumnya hanya tersedia pada laptop ultra-tipis," kata Cheol Choi, wakil presiden eksekutif eksekutif Penjualan & Pemasaran Memori di Samsung Electronics.

Dengan memori terbaru yang sedang diproduksi, Choi berharap Samsung bisa memainkan peran utama dalam mempercepat momentum di pasar ponsel premium. Memori eUFS 3.0 mempunyai kecepatan membaca data 2.100 megabyte (MB) per detik, jauh lebih cepat dibanding eUFS 2.1 yang diumumkan pada Januari lalu.

Kecepatan baca solusi baru ini empat kali lebih cepat dari pada SATA solid state drive (SSD) dan 20 kali lebih cepat dari kartu microSD pada umumnya. Sehingga memungkinkan smartphone premium untuk mentransfer film Full HD ke PC dalam waktu sekitar tiga detik.

Selain itu, kecepatan tulis sekuensial juga telah ditingkatkan sebesar 50 persen menjadi 410MB per detik, setara dengan SSD SATA. Kecepatan baca dan tulis acak memori baru memberikan peningkatan hingga 36 persen dari spesifikasi industri 2.1 eUFS saat ini, masing-masing pada 63.000 dan 68.000 Operasi Input / Output Per Detik (IOPS).

Dengan keuntungan signifikan dalam pembacaan dan penulisan acak yang lebih dari 630 kali lebih cepat daripada kartu microSD umum (100 IOPS), sejumlah aplikasi kompleks dapat dijalankan secara bersamaan, sambil mencapai peningkatan respons, terutama pada perangkat seluler generasi terbaru.


   Ayo Bagikan!
Ayo Respon
   Komentar

Komentar sepenuhnya menjadi tanggung jawab pribadi seperti diatur dalam UU ITE

Komentar